据报道Exynos2500将在GalaxyS25系列上使用三星第二代3nmGAA工艺来限制能量泄漏并提高效率

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导读 据称,三星明年将在GalaxyS25系列中采用双芯片组发布策略,在各种手机中同时使用高通Snapdragon8Gen4和Exynos2500。这家韩国巨头效仿了这一...

据称,三星明年将在GalaxyS25系列中采用双芯片组发布策略,在各种手机中同时使用高通Snapdragon8Gen4和Exynos2500。这家韩国巨头效仿了这一做法,推出了GalaxyS24系列,这是三星2024年第一季度营业利润的主要贡献者,与2023年第一季度相比,营业利润飙升了933%。现在,一份新报告指出,Exynos2500将提高标准并有望采用第二代3nmGAA(Gate-All-Around)工艺,提升明年旗舰机型的效率。

在多个地区采用更多GalaxyS25型号的Exynos2500型号也将有助于三星减少芯片组支出

为了跟上台积电的步伐,《韩国商业报》报道称,三星将利用其第二代3nmGAA工艺量产Exynos2500。目前,这家韩国巨头是唯一一家将Gate-All-Around技术应用于其移动芯片组的代工厂,可能使其在对抗台湾半导体竞争对手的第二代“N3E”节点时占据上风。该报告提到,与Snapdragon8Gen4相比,Exynos2500将表现出更高的能效属性,不过值得注意的是,这些说法之前是由一位爆料者提出的。

对于那些不知道的人来说,三星的3nmGAA工艺据说可以减少能量泄漏并增加电流驱动。该公司声称,其第二代技术将功耗降低高达50%,性能提高30%,并减少面积35%。据称,第一代3nmGAA节点比三星5nm工艺有大量改进,功耗降低了45%,性能提高了23%,面积减少了16%。

Exynos2500的测试传闻称,后者在CPU和GPU测试中已经击败了高通的Snapdragon8Gen3,因此假设这一信息属实,三星将迎来一个良好的开端。然而,在第一个基准测试发布之前,我们不应该急于下结论,因此,虽然三星努力保持与台积电的竞争值得称赞,但我们现在应该对这份报告持保留态度。

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