三星HBM3E内存因过热和功率问题未能通过NVIDIA认证

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导读 几周前,有关三星HBM工艺缺陷的消息浮出水面。非官方消息来源称,这家韩国巨头的HBM产品未能满足NVIDIA的期望。然而,路透社也重申了这一进...

几周前,有关三星HBM工艺缺陷的消息浮出水面。非官方消息来源称,这家韩国巨头的HBM产品未能满足NVIDIA的期望。然而,路透社也重申了这一进展,表明三星阵营的情况并不乐观。值得注意的是,获得NVIDIA的HBM订单是三星内存部门增长战略的重要组成部分,最近的谣言可能会给这家韩国公司带来巨大挫折。

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据路透社报道,三星的HBM3和HBM3E工艺效率低下,这也是NVIDIA等公司无法下大订单的原因。据称HBM产品存在“发热和功耗”问题,因此无法通过TeamGreen设定的资格测试。然而,这家韩国巨头在给路透社的一份声明中表示,未能通过资格测试的说法不成立,该公司正在与合作伙伴密切合作以优化其产品。

无论这一进展是否真实,这对三星的HBM产品来说都是一个打击,因为客户不愿听从此类报道,这最终会阻碍其大规模采用。然而,必须注意的是,未能通过资格测试并不意味着三星的工艺存在缺陷;事实上,三星已经为AMD的InstinctMI300X加速器提供了HBM3内存。

最初的报道认为,测试失败与NVIDIA的合作伙伴SK海力士设定的高门槛有关,也有人将其与台积电不愿看到三星加入供应链有关,所以现在的情况确实不确定,因此我们还不能妄下结论。

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